전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
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작성일 23-04-09 07:45
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VO (측정값) = 4.444V
측정(測定) 한다. 실험 소요장비 계측기 - DMM 부품 - 저항 - 다이오드 1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge -전원 (직류전원) 실험 순서
VD (측정값) = 0.623mV
VD = 0.573V
ID(계산값) = ID = VO / R = 4.427 / 2.168K = 0.002 A
VD에 대하여는 VT 값을 기입하라.
VO (계산값) = 1.383V
레포트 > 공학,기술계열
VO(계산값) ＝ 5V - 0.573V = 4.427V
c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.
계측기 - DMM
e. 순서1에서 측정한 VD와 VO 그리고 측정값 R1, R2를 이용하여 VO와 ID의 theory 적인 값을 계산하라.
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VO (측정값) = 1.407V
VD (측정값) = 0.603 mV
부품 - 저항 - 다이오드
ID (측정값으로부터) = VO/R2 = 0.0014A
VD = VT = 0.573V
-전원 (직류전원)
실험 순서
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge
설명
다.
실험 소요장비
순서
f. DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(e)의 결과와 비교하라.
d. 다음과 같은 회로를 구성하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.
b) 순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정값을 이용하여 VO와 ID의 theory 적인 값을 계산하라.
전자회로,직렬,병렬,다이오드
ID (계산값) = 0.0013A
ID (측정값으로부터) = VO/R = 0.002A
VD에 대하여는 VT 값을 기입하라.
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다.
