[전자전기] 논리회로 實驗(실험) - RAM VHDL을 이용한 實驗(실험) 결과 보고서 / 메모리 설계
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작성일 23-04-28 01:40
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4) WR active-low동작.
전자전기 RAM VHDL을 이용한 실험 결과 보고서 메모리 설계 ※ 실
signal memory mem_type =(`0001`,`0011`,`0101`,`0111`,`1001`,`1011`,`1101`,`1111`,`0000`,
`0010`,`0100`,`0110`,`1000`,`101...
메모리 설계 ※ 實驗(실험)내용 § RAM(Random Access Memor...
설명
※ Source Code
);
레포트 > 공학,기술계열
§ RAM(Random Access Memory) 설계
CE=‘0’,RD=‘0’,WR=‘1’
port ( ce_n in std_logic;
RAM 블록도
subtype wtype is std_logic_vector(3 downto 0); -- wtype이라는 subtype width 결정
2) CE active-low동작
use ieee.std_logic_1164.all;
addr in std_logic_vector(3 downto 0);
architecture rtl of RAM is
out_data out std_logic_vector(3 downto 0)
rd_n in std_logic;
※ test(실험) 내용
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※ RAM
in_data in std_logic_vector(3 downto 0);
3) RD active-low동작.
wr_n in std_logic;
entity RAM is
6) Write Operation
CE=‘0’,RD=‘1’,WR=‘0’
5) Read Operation
library ieee;
메모리 설계
[전자전기] 논리회로 實驗(실험) - RAM VHDL을 이용한 實驗(실험) 결과 보고서 / 메모리 설계
Download : [전자전기] RAM_VHDL을 이용한 실험 결과보고서.hwp( 89 )
type mem_type is array(0 to 15) of wtype; -- depth 범위 지정
end RAM;
1) RAM Size=주소 개수×데이터 비트 수
메모리 설계 ※ 실험내용 § RAM(Random Access Memor...
use ieee.std_logic_unsigned.all;
순서
다.
