[공학] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성
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작성일 23-08-08 17:01
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2.1.3. 빛이 미치는 effect
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 …(drop)
1) 0℃ property(특성)
2) 20℃ property(특성)
3) 80℃ property(특성)
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[공학] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성
실험과제/기타
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설명
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다.
위 그림은 온도가 0도에서 스타트하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V property(특성)인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V property(특성)
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
2. 實驗 결과
2.1. Si DIODESi DIODE의 온도 alteration(변화) 에 따른 I-V property(특성)과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V property(특성)
DIODE의 온도 alteration(변화) 에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정(測定) 했을 때의 측정(測定) 값이다. [공학] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 변화에 따른 특성
순서
DIODE 온도 alteration(변화) 에 따른 property(특성)
1. 實驗 목표(goal)
소자분석기를 이용하여 DIODE 온도 alteration(변화) 에 따른 전류-전압 property(특성)을 측정(測定) 한다.DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 實驗결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
