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[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) test(실험) - Metal Deposition

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작성일 23-06-30 03:15

본문

Download : [공학,기술] 반도체공학 실험 - Metal Deposition.docx

2) E-beam Evaporator를 이용하여 NI을 증착시킨다.
가) Metal source(Ni)를 Boat에 담아 용융점이 높은 턴스텐 판 위에 올린다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 effect(영향) 을 끼치는지 확인하고자 한다. 實驗(실험) 과정
1) BOE용액과 DI water를 사용해 Si 기판을 세정한다.
다) Chamber를 고진공(~ Torr) 상태로 만든다.
나) Holder에 Si 기판을 위치하고 Shadow mask를 장착 후 Chamber를 닫는다.

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[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) test(실험) - Metal Deposition

[工學(공학) ,기술] 반도체工學(공학) test(실험) - Metal Deposition
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실험과제/기타
설명

實驗(실험) 4 : Metal Deposition

1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정(測定) 한다.
라) Metal source에 전기를…(생략(省略))

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순서

[공학,기술] 반도체공학 실험 - Metal Deposition , [공학,기술] 반도체공학 실험 - Metal Deposition기타실험과제 , 공학 기술 반도체공학 실험 Metal Deposition

다.

2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
증착 금속
증착 두께
나머지 변인
Ni (니켈)
10nm
모두 동일

20nm
30nm

나. 實驗(실험) 준비물
1) 진공장비 : Gauge, Valve, Gas line, Pumps, ect
2) 기타장비 : Metal source(Ni), BOE 용액, DI water, Ecthed Si wafer pieces
Four point probe, tweezer, teflon beakers, safety gadgets

다.

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