물리스퍼터링에 의한 박막 증착, 결과보고서
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작성일 24-04-06 11:20
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그림 스퍼터링의 모델도
스퍼터링 증착법은 이와 같은 스퍼터 현상으로 방출된 타겟 원자를 기
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다. 즉 에너지가 수백eV~수십keV인 이온이 타겟에 입사하면 입사 이온과 타겟 원자의 핵충돌로 야기되는 카스케이드 충돌에 의해서 타겟 표면에서 방출되는 방향의 운동량 성분(成分)을 가진 타겟 원자가 나타나 타겟에서 탈출한다. 스퍼터링이란 높은 에너지의 입자를 고체(타겟)에 조사하였을 때 타겟의 구성 원자가 타겟 표면에서 방출하는 현상을 말한다.
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물리스퍼터링에 의한 박막 증착, 결과보고서
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실험과제/물리
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實驗題目(제목): 때려내기에 의한 박막 증착
實驗목적: 박막 성장 방법 중의 하나인 `때려내기(sputtering)에 의한 박막 증착` 방법의 원리를 이해하고, sputtering 장비를 이용하여 실리콘 기판에 Cu 박막을 증착한다
1. 實驗 요약
본 實驗은 아래의 스퍼터링 장비를 사용하여그림 스퍼터링 시스템의 구조
실리콘 기판에 구리 박막의 증착시키는 實驗이다.


